U21MD9AV2LE幸运快三_U21MD9AV2LE详细参数

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U21MD9AV2LE图片

图像仅供参考

型号：	U21MD9AV2LE
功能描述：	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High gain
制造商：	Diodes Incorporated
幸运快三：	U21MD9AV2LE供应商

详细参数

制造商:	Diodes Incorporated
大发3d种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:	是
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-223-4
晶体管极性:	PNP
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	- 12 V
集电极—基极电压 VCBO:	- 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	5 V
集电极—射极饱和电压:	- 320 mV
最大直流电集电极幸运快三:	3 A
增益带宽大发3dfT:	110 MHz
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	FZT717
直流幸运快三增益 hFE 最大值:	300
高度:	1.65 mm
长度:	6.7 mm
封装:	Reel
宽度:	3.7 mm
商标:	Diodes Incorporated
集电极连续幸运快三:	- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:	300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 160 at 3 A, 2 V, 60 at 8 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散:	2 W
大发3d类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
单位重量:	112 mg

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