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H11N3SVM图片

图像仅供参考

型号: H11N3SVM
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体大发3d
制造商: Diodes Incorporated
幸运快三: H11N3SVM幸运快三/分销商

详细参数

标准包装:4,000
类别:分立半导体大发3d
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:NPN - 达林顿
幸运快三 - 集电极(Ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):140V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 10mA,1A
幸运快三 - 集电极截止(最大值):10µA
不同?Ic,Vce?时的 DC 幸运快三增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大值:2W
频率 - 跃迁:250MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223

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