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图像仅供参考

型号: GRM1555C1H6R2DA01D
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High gain
制造商: Diodes Incorporated
幸运快三: GRM1555C1H6R2DA01D供应商

详细参数

制造商:Diodes Incorporated
大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223-4
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 12 V
集电极—基极电压 VCBO:- 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:- 320 mV
最大直流电集电极幸运快三:3 A
增益带宽大发3dfT:110 MHz
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:FZT717
直流幸运快三增益 hFE 最大值:300
高度:1.65 mm
长度:6.7 mm
封装:Reel
宽度:3.7 mm
商标:Diodes Incorporated
集电极连续幸运快三:- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 160 at 3 A, 2 V, 60 at 8 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散:2 W
大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:1000
子类别:Transistors
单位重量:112 mg

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