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  • 深圳市汇思成科技有限公司


    5

    0755-23619322-800113632962857孙小姐0755-23824366深圳市福田区中航路国利大厦140911011713

  • 0402B104K250CT
  • Walsin 
  • 0402(1005 公制) 
  • 18+ 
  • 1230000 
  • 全新原装进口,一片起订 
  • Email:szhscdz@hsc-dz.com
  • 深圳市天卓伟业电子有限公司


    4

    0755-8327578913528438311Camille华强北街道华强广场A座20J11012046

  • 0402B104K250CT
  • Walsin 
  • 原装 
  • 19+ 
  • 3900000 
  • 原装现货库存,接受订货,可开13%增值税发票 
  • Email:3004204729@qq.com
  • 深圳市芯幂科技有限公司


    4

    133-0253950113302539501吴生深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824001011808

  • 0402B104K250CT
  • Walsin 
  • 原装 
  • 2019+ 
  • 260000 
  • 原装正品 
  • Email:1599704250@qq.com
0402B104K250CT相同型号技术资料
  • FZT717TC
  • 标准包装:4,000类别:分立半导体大发3d家庭:晶体管(BJT) - 单路系列:-包装:带卷(TR)晶体管类型:PNP幸运快三 - 集电极(Ic)(最大值):3A电压 - 集射极击穿(最大值):12V不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):320mV @ 50mA,3A幸运快三 - 集电极截止(最大值):-不同?Ic,Vce?时的 DC 幸运快三增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,2V功率 - 最大值:2W频率 - 跃迁:110MHz安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223
  • FZT749
  • 标准包装:4,000类别:分立半导体大发3d家庭:晶体管(BJT) - 单路系列:-包装:带卷(TR)晶体管类型:PNP幸运快三 - 集电极(Ic)(最大值):3A电压 - 集射极击穿(最大值):25V不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 300mA,3A幸运快三 - 集电极截止(最大值):-不同?Ic,Vce?时的 DC 幸运快三增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V功率 - 最大值:2W频率 - 跃迁:100MHz安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-4其它名称:FZT749FSFZT749FS-NDFZT749FSTR
  • FZT749/BKN
  • 包装:4SOT-223类型:PNP引脚数:4最大集电极发射极电压:25 V集电极最大直流幸运快三:3 A最小直流幸运快三增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V最大工作频率:100(Min) MHz最大集电极发射极饱和电压:0.3@100mA@1A|0.6@300mA@3A V最大集电极基极电压:35 V工作温度:-55 to 150 °C最大功率耗散:2000 mW安装:Surface Mount标准包装:Cut Tape
  • FZT749TA
  • 制造商:Diodes Incorporated大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS:详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:- 25 V集电极—基极电压 VCBO:- 35 V发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V集电极—射极饱和电压:- 0.4 V最大直流电集电极幸运快三:3 A增益带宽大发3dfT:160 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:FZT749高度:1.65 mm长度:6.7 mm封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel宽度:3.7 mm商标:Diodes Incorporated集电极连续幸运快三:- 3 APd-功率耗散:2 W大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:1000子类别:Transistors单位重量:112 mg
  • FZT749TC
  • 制造商:Diodes Incorporated大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS:详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:- 25 V集电极—基极电压 VCBO:- 35 V发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V集电极—射极饱和电压:- 0.4 V最大直流电集电极幸运快三:3 A增益带宽大发3dfT:160 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:FZT749直流幸运快三增益 hFE 最大值:70高度:1.65 mm长度:6.7 mm封装:Reel宽度:3.7 mm商标:Diodes Incorporated集电极连续幸运快三:- 3 A直流集电极/Base Gain hfe Min:70Pd-功率耗散:2 W大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:4000子类别:Transistors单位重量:112 mg
  • FZT751
  • 晶体管极性::PNPCollector Emitter Voltage V(br)ceo::60VTransition Frequency ft::140MHz功耗::2WDC Collector Current::-3ADC Current Gain hFE::200Operating Temperature Min::-55°COperating Temperature Max::150°CTransistor Case Style::SOT-223No. of Pins::4MSL::MSL 1 - UnlimitedSVHC::No SVHC (20-Jun-2013)连续集电极幸运快三Ic最大::3ACurrent Ic Continuous a Max::3ACurrent Ic hFE::500mAGain Bandwidth ft Min::100MHzGain Bandwidth ft Typ::140MHzHfe Min::100No. of Transistors::1工作温度范围::-55°C to +150°CPower Dissipation Ptot Max::2WPulsed Current Icm::6ASMD Marking::FZT751Voltage Vcbo::80VWeight (kg):0.00012Tariff No.:85412100
BD9524MUV-E2 PDF文件
  • 描述:Main Power Supply IC for Note PC(Linear Regulator Integrated)
  • 生产厂商:ROHM[Rohm]
  • 厂商logo:
  • 厂商网址:http://www.rohm.com
  • PDF大小:639.95 Kbytes
  • PDF页数:共21页
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MIC4468YWM技术信息
0402B104K250CT参考图片_幸运快三

图像仅供参考,请参阅规格书

  • 大发3d:MOSFET Gate Drivers
  • 配置:Inverting
  • 激励器数量:4
  • 上升时间:14 ns
  • 下降时间:13 ns
  • 输出幸运快三:1.2 A
  • 电源电压-最大:18 V
  • 电源电压-最小:4.5 V
  • 电源幸运快三:0.2 mA
  • 最大功率耗散:1 W
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-16
  • 类型:Low Side
  • 商标:Micrel
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 输出端数量:4
  • 封装:Tube
  • 系列:MIC4468
  • 工厂包装数量:47
  • ROHS: 无铅

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